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场效应晶体管(FET)简称场效应晶体管。由多数载流子传导，也称为单极晶体管。属于压控半导体器件。具有高输入电阻(10 8 ~ 10 9)、低噪声、低功耗、大动态范围、易集成、无二次击穿、安全工作区宽等优点。FET是电压控制器件，通过VGS(栅源电压)控制ID(漏电流)；场效应管的输入电流极小，所以它的输入电阻很大。它采用多数载流子导电，温度稳定性好；它构成的放大电路的电压放大系数小于三极管构成的放大电路的电压放大系数；由于混沌运动中不存在少数载流子扩散引起的散粒噪声，所以噪声相对较低。

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