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锗

用途：制作半导体器件、红外光学器件、太阳能电池基板等材料。

主要性能参数

方法生长提拉法

晶体结构立方体

晶格a=5.65754

密度为5.323克/立方厘米

熔点937.4

掺杂物质没有掺杂Sb或掺杂In或Ga

类型/NP

电阻率> 35cm 0.05cm 0.05 ~ 0.1cm

epd<4103∕cm2<4103∕cm2<4103∕cm2

尺寸为10x3、10x5、10x10、15x15、20x15、20x20、

直径2英寸x 0.33mm毫米直径2英寸x 0.43mm毫米15 x 15毫米

厚度0.5毫米，1.0毫米

抛光一面或两面

到100，110，111，0.5

晶面取向精度：0.5

边缘定位精度：2(特殊要求在1以内)

倾斜晶片可用于根据具体要求加工具有以特定角度(倾斜角1-45)倾斜的边缘取向晶面的晶片。

ra:5(5米5米)

供应目录：

Ta2NiSe5晶体

PbSnSe2晶体

Cu 7SE 11晶体CuIn7Se11晶体

硒化锆晶体

二硒化锆晶体

钨钽硒晶体

二硒化钨晶体

硒化钒晶体

硒化钛晶体

TaSe2(2H)硒化钽晶体TaSe2(2H)晶体

硒化锡晶体

硒化亚锡晶体

二硒化铼晶体

二硒化钯晶体

铌二硒化物晶体

钼钨硒晶体

苔藓钼硫硒晶体苔藓晶体

二硒化钼晶体

锰PSe3晶体

铟硒化物晶体

In2Se3晶体

硒化铪晶体

锗硒化物晶体

硒化镓晶体

FePSe3晶体

Bi2Se3硒化铋晶体

Bi2O2Se晶体

钛二硒化物晶体

TaSe2二硒化钽晶体

硒化锆晶体Sb2Se3二硒化物

Sb2Se3硒化锑晶体(硒化锑)

yyp2021.6.23

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