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什么是光刻机？掩模对准器1简介。掩模光刻机，又称掩模对准曝光机、曝光系统、光刻系统等。常用的掩模光刻机是掩模对准光刻，所以称为掩模对准系统。2.一般的光刻工艺要经过硅片表面清洗干燥、底涂、旋涂光刻胶、软烤、对准曝光、后烤、显影、硬烤、刻蚀等过程。

掩模光刻机掩模光刻机，又称掩模对准曝光机、曝光系统、光刻系统等。是制造芯片的核心设备。它使用类似于照片印刷的技术，通过曝光将掩模上的精细图案印刷到硅片上。

光刻机的工作原理是通过一系列光源能量和形状控制手段，使光束透过带有电路图的掩模，通过物镜补偿各种光学误差，将电路图按比例缩小后映射到硅片上。然后通过化学显影得到刻在硅片上的电路图。一般的光刻工艺要经过硅片表面清洗干燥、打底、旋涂光刻胶、软烤、对准曝光、后烤、显影、硬烤、激光刻蚀等工序。光刻机的制造和维护对光学和电子行业的基础要求很高，所以世界上只有少数厂家掌握。

光刻机的品牌很多，根据技术路线的不同可以分为以下几类：高端投影光刻机可以分为步进投影和扫描投影光刻机，分辨率通常在七纳米到几微米之间。高端光刻机被称为世界上最精密的仪器，世界上已经有1.2亿美元的光刻机。光刻机是现代光学工业之花，其制造难度之大，世界上只有少数几家公司能够制造。国外品牌主要是荷兰的ASML，日本的尼康，日本的佳能。

光刻机是做什么用的？光刻机是一种用光雕刻的机器。用来实现光腐蚀光刻胶的目的。所以光刻机就是通过透镜把一个大的电路图缩小到芯片的大小，然后用光腐蚀光刻胶，达到自动形成电路的目的。

光刻机的分类光刻机按照操作的简单程度一般分为三种：手动、半自动和全自动。手动：指对准的调整方式，即通过手动调整旋钮改变其X轴、Y轴和thita角度来完成对准，对准精度不高。半自动：是指可以根据CCD由电轴进行定位和调准。自动：指从基板上传和下载。曝光时长和周期由程序控制，自动光刻机主要满足工厂对加工能力的需求。

什么是光刻机？光刻机是制作芯片的核心设备。掩模光刻机也可以称为掩模对准曝光机、曝光系统或光刻系统。

掩模对准器的类型可以分为接触曝光、接近曝光和投影曝光。光刻机的工作原理是通过一系列光源能量和形状控制手段，使光束透过带有电路图的掩模，通过物镜补偿各种光学误差，将电路图按比例缩小后映射到硅片上。然后通过化学显影得到刻在硅片上的电路图。目前世界上只有少数厂家有生产光刻机的技术。

掩模版光刻机的原理掩模版光刻机的原理是通过一系列光源能量和形状控制手段，使光束透过带有电路图的掩膜，通过物镜补偿各种光学误差，将电路图按比例缩小后映射到晶片上，最终形成芯片。就像一个空空的大脑。只有通过光刻把指令放进去，这个大脑才能工作，电路图和其他电子元件都是芯片设计师设计的指令。

简单来说，芯片设计师设计的电路和功能区被“打印”到晶圆上，类似于相机摄影。照相机拍摄的照片印在底片上，但电路图和

掩模版光刻机工作原理掩模版光刻机/紫外曝光机(又称掩模版对准曝光机、曝光系统、光刻系统等。).常用的掩模光刻机是掩模对准光刻，所以称为掩模对准系统。一般的光刻工艺要经历硅片表面清洗干燥、底涂、旋涂光刻胶、软烤、对准曝光、后烤、显影、硬烤、刻蚀等过程。

光刻机的分类光刻机按照操作的简单程度一般分为三种，手动、半自动和全自动。

手动：指对准的调整方法，即通过手动调整旋钮改变其X轴、Y轴和thita角度来完成对准。对准精度不高可想而知；

b:半自动是指可以根据CCD通过电轴进行定位和调准；

c:自动是指从基板上传下载。曝光持续时间和周期由程序控制。自动光刻机主要满足工厂对加工能力的需求。恩克优NXQ8000系列一小时可加工数百片晶圆。

掩膜版光刻机能造出来吗？暂时无法。

光刻机不是单一的技术，而是多种现代高科技技术的集成。成品需要众多的产业链支撑，以中国目前的科技水平是生产不出来的。

当一位来自中国的专家去荷兰阿斯马尔参观光刻机时，阿斯马尔的高管直接对来自中国的专家说：就算给你一套完整的图纸，你在中国也做不出来光刻机。

理想很丰满，现实很骨感。以中国目前的科技水平，光刻机还真造不出来。光刻机不是单一的技术，而是现代高科技技术的集成。光刻机非常复杂，可以说是人类知识的产物之一。光刻机和手机、汽车一样，都是由无数零部件组装合成，最终实现某项功能。成品需要众多产业链支持。各种零配件都是行业顶尖技术。没有长期的精耕细作，国产光刻机在单一技术上领先是没问题的，但要整体实现弯道超车基本不现实。

比如马拉松，第二名和第一名的距离是3公里。在一定时间内，第二名的速度超过第一名，只能说明第二名最终可能会超过第一名。但是，3km的巨大距离，短时间内是抓不住的。如果你想超越它，时间跨度会很长，因为你在努力向前跑，而你的对手在努力向前跑。

荷兰Asmall之所以能垄断世界顶级光刻机市场，并不是因为荷兰人聪明，荷兰人一个人是开发不出光刻机的。光刻机R&D汇聚了全球优势资源，积累了数十年的半导体技术，最终在数万名顶级专业R&D人员的不断技术突破下取得成功。好在只有荷兰掌握了光刻机中的核心技术“侵入式光刻”，所以现在也只有荷兰能生产出顶级的光刻机。

是研发的外在体现，任何技术突破都是积累的结果。光刻机需要很多技术方向，比如机械化、自动化、系统科学等等。有些地方知道技术壁垒，但对于如何突破却毫无头绪。有些地方连技术壁垒都没找到，更别说技术突破了。而且任何技术上的突破都需要多年的技术投入，资金投入等等。

技术积累不是钱能解决的。目前，上海微电子设备和中科院某研究所在国内光刻机领域做得比较好。他们在90nm还处于产品研发阶段，而荷兰阿斯马尔7nm的光刻机已经实现量产。当然，这并不意味着国产光刻机没有机会超越。目前，中国对光刻机的重视程度越来越高，大量的资金和顶尖人才都在深入从事光刻机的研究。

其实国内的光刻机只要在一些关键技术上有所突破，也算是弯道超车了，就像荷兰的Asmall在光刻机上“侵入式光刻技术”领先世界一样。没有这项关键技术，就无法制造出顶级的光刻机，所以目前只有荷兰有资格制造顶级的光刻机。

如何制作光刻机(最好提供图片和文字)？第一步是制作光刻掩模。

在芯片设计师完成了CPU的功能和结构设计图的绘制之后，就可以在“印刷母板”上绘制这种包含CPU的功能模块、电路系统等物理结构的“地图”进行量产了。这一步是制作光刻掩模。

通过不透明遮光膜在透明基板上形成掩模图案结构，然后通过曝光工艺将图案信息转移到产品基板上。(*百度百科)

在由玻璃、应时衬底、铬层和光刻胶组成的掩膜上画出设计好的半导体电路“地图”。

掩模板三维切片示意图

步骤2:晶片涂层的制备

这里回顾了从沙子到硅冰碛再到晶圆的制造工艺，这里不再赘述。在将制备好的晶片投入光刻机之前，通常通过高温加热在其表面生成氧化膜，例如使用二氧化硅(包层)作为光纤，以便于后续的光刻工艺：

第三步：“光刻”晶片上的电路流程。

利用ASML的“大黑仔”，紫外(或极紫外)光线穿过蔡司的镜头，照射到前面准备好的集成电路的掩膜上，将设计师在晶圆上绘制的“电路图”曝光(photoetches)。(见动画):

上述动画的工作切片层次如下：

被光刻机照射的部分光刻胶会发生相应的变化，曝光的部分一般用显影液去除。

然而，被光致抗蚀剂覆盖的部分之外的氧化膜需要通过与气体反应来去除。

用显影液和特殊气体去除无用的光刻胶后，在晶圆表面植入离子激活晶体管使其工作，从而完成半导体器件的整体构建。

在这里算不上成功，只是错综复杂的集成电路大厦中的一座普通“大厦”。

光刻机光刻机的主要性能指标有：支撑衬底的尺寸范围、分辨率、对准精度、曝光方式、光源波长、光强均匀性、生产效率等。

分辨率是对光刻技术可以达到的最细线精度的描述。

对准精度是多层曝光期间夹层图案的定位精度。

曝光方式分为接触接近、投影和直写。

曝光波长为紫外、深紫外和极紫外区，光源包括汞灯、准分子激光器等。

与光刻机相比，刻蚀比光刻容易。印刷光刻机图案，然后蚀刻机根据印刷的图案蚀刻图案化(或非图案化)的部分，剩下的部分。

原理是利用紫外线使部分光刻胶变质，容易腐蚀。

“蚀刻”是指光刻后，用蚀刻液将变质的光刻胶蚀刻掉(正胶)，在晶圆表面露出半导体器件及其连接。然后使用另一种蚀刻溶液蚀刻晶片以形成半导体器件及其电路。

扩展信息：

一般来说，光刻机根据操作的简单程度可以分为三种：手动、半自动和全自动。

1.手动：指对准的调整方法，即通过手动调整旋钮改变其X轴、Y轴和thita角度来完成对准。对准精度不高可想而知；

2.半自动：是指可以根据CCD由电轴进行定位和调准；

3.自动：指从基板上传和下载。曝光时长和周期由程序控制，自动光刻机主要满足工厂对加工能力的需求。

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